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集成电路和分立零件清单 46


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M35C685K125BZSS : 6.8F 钽电容器 0803 (2108年公制) 125V ;章网志 6.8UF 125V 10% 0803

M35SP-10 : 步进电机

M36 PRSTMCZ100- : 螺钉、 POZI 泛、 钢、 BZP, M3X6

M36 PSA2MCS100- : 螺钉,机、 SS, M3, 6MM

M3604A : 4k(512 x 8) 高速舞会

M360616307 : 空调, 1758W

M3624A : 4k(512 x 8) 高速舞会

M363FAN : 5x7mm, 3.3 伏,Hcmos/ttl、 表面装载振荡器

M363TAN : 5x7mm, 3.3 伏,Hcmos/ttl、 表面装载振荡器

M364C0404BT0 :

M364C0404CT0-C : 快速页面模式 4mx64dram Dimm 使用 4mx16,4 k & 8 k 刷新, 5v

M364C0484BT0 :

M364C0484CT0-C : 快速页面模式 4mx64dram Dimm 使用 4mx16,4 k & 8 k 刷新, 5v

M364C0803BJ0 :

M364C0804CT0-C : 快速页面模式 8mx64dram Dimm 使用 4mx16,4 k & 8 k 刷新, 5v

M364C0883BJ0 :

M364C0884CT0-C : 快速页面模式 8mx64dram Dimm 使用 4mx16,4 k & 8 k 刷新, 5v

M364C1600BJ0 :

M364E0404CT0-C : 使用 4mx16,江户模式 4mx64dram Dimm 4 k & 8 k 刷新, 5v

M364E0803BJ0 :

M364E0803CJ0-C : 使用 8mx8,江户模式 8mx64dram Dimm 4 k & 8 k 刷新, 5v

M364E0804BT0 :

M364E0804CT0-C : 使用 4mx16,江户模式 8mx64dram Dimm 4 k & 8 k 刷新, 5v

M364E0883BJ0 :

M364E0883CJ0-C : 使用 8mx8,江户模式 8mx64dram Dimm 4 k & 8 k 刷新, 5v

M364E0884CJ0-C : 使用 4mx16,江户模式 8mx64dram Dimm 4 k & 8 k 刷新, 5v

M364E1600BJ0 :

M364FAN : 5x7mm, 3.3 伏,Hcmos/ttl、 表面装载振荡器

M364TAN : 5x7mm, 3.3 伏,Hcmos/ttl、 表面装载振荡器

M3654K :

M365FAN : 5x7mm, 3.3 伏,Hcmos/ttl、 表面装载振荡器

M365TAN : 5x7mm, 3.3 伏,Hcmos/ttl、 表面装载振荡器

M366FAN : 5x7mm, 3.3 伏,Hcmos/ttl、 表面装载振荡器

M366S0924FTS : Sdram 缓冲的模块

M366S1623CTL : Sdram Dimm 基于 4 k 刷新,3.3 v 4banks,8mx8,Synchronousdrams 与电涌保护器: 16mx64

M366S1724BT0 : 16m X 64 Sdram Dimm SPD 与同步德拉姆基于 8 m X 16,4banks,4 k 刷新,3.3 v

M366S2953BTS-C7A :

M366S3253BTS-C75 : Pc133/pc100 无缓冲的 Dimm

M366S6453CTS-L1H/C1H :

M366TAN : 5x7mm, 3.3 伏,Hcmos/ttl、 表面装载振荡器

M368FAN : 5x7mm, 3.3 伏,Hcmos/ttl、 表面装载振荡器

M368L1624DTL-C(L)A2 : 128mb DDR Sdram 模块 (基于 16mx8 DDR Sdram 的 16mx64) 缓冲 184pin DIMM 64 位非-ecc/奇偶校验

M368L1714BT0 : 16m X 64 DDR Sdram 184pin Dimm 基于 8mx16

M368L2923BTM-CCC : DDR Sdram 缓冲模块 184pin 无缓冲模块基于 512 mb 64 72 位非 Ecc/ecc 66 Tsop-ii 与无铅 (rohs 符合) D-模

M368L3223CTL-CA2 :

M368L5623MTN :

M368L6423DTM-CCC :

M368TAN : 5x7mm, 3.3 伏,Hcmos/ttl、 表面装载振荡器

M36D0R6040B0ZAI : 64 Mbit (4 Mb x 16,多银行页) 闪存内存和 16 兆位 (1 Mb x 16) Psram,多芯片封装

M36D0R6040T0 : 64 快闪内存及 16 兆位 (1 Mb x 16) PSRAM,多芯片封装的 Mbit (4 Mb x 16,多银行页)。多芯片封装 1 模的 64 Mbit (4 Mb x 16) 闪存内存 1 模具的 16 兆位 (1 Mb x 16) 伪 SRAM 供应电压 VDDF = 视频 = 1.7 v、 1.95V 低功率消耗电子签名制造商

M36DR232 : 32 Mbit (2 MB X 16,双银行页) 闪存内存和 2 兆位 (128 K X 16) SRAM、 多个内存产品

M36DR232AZA : 32 Mbit 2 mb X 16,双银行、 页面 Flash 内存和 2 Mbit 128 k X 16 SRAM、 多个内存产品

M36DR432-ZAT : 32 Mbit 2 mb X 16,双银行、 页面 Flash 内存和 4 Mbit 256 k X 16 SRAM、 多个内存产品

M36DR432A : 32 Mbit (2 MB X 16,双银行页) 闪存内存和 4 兆位 (256 K X 16) SRAM、 多个内存产品

M36DR432A100ZA6C : 32 Mbit 2 mb X 16,双银行、 页面 Flash 内存和 4 Mbit 256 k X 16 SRAM、 多个内存产品

M36DR432AD : 32 Mbit (2 MB X 16,双银行页) 闪存内存和 4 兆位 (256 KB X 16) SRAM、 多个内存产品

M36DR432C : 32 Mbit (2 MB X 16,双银行页) 闪存内存和 4 兆位 (256 K X 16) SRAM、 多个内存产品

M36L0R7040B0 : 128 兆位 (Mux I/O、 多银行、 多层次、 爆裂) 闪存内存,32 或 64 Mbit Psram,1.8 v 供应多芯片封装

M36L0R7050U1 : 128 兆位 (Mux I/O、 多银行、 多层次、 爆裂) 闪存内存,32 或 64 Mbit PSRAM,1.8 v 供应多芯片封装。M36L0R7060U1、 M36L0R7060L1、 M36L0R7050U1 和 M36L0R7050L1 结合两个。内存设备 ina 多芯片封装:。& 9679; 128 兆位,多个银行闪存, M58LR128G(U/L).

M36L0R7060T1 : 128 (多个银行、 多级、 爆裂) 兆位闪存内存和 64 Mbit (突发) PSRAM,1.8 v 供应、 多芯片封装

M36L0R8060 : 256 (多个银行、 多层次、 爆裂) 兆位闪存内存和 64 Mbit (突发) PSRAM,1.8 v 供电,多芯片封装

M36L0R8060B1 : 256 (多个银行、 多层次、 爆裂) 兆位闪存内存和

M36L0T7050B2 : 128 (多个银行、 多级、 爆裂) 兆位闪存内存和 32 兆位 (2 Mb x 16) PSRAM,多芯片封装

M36L0T7060B2 : 128 (多个银行、 多级、 爆裂) 兆位闪存内存和 64 Mbit (4 Mb x 16) PSRAM,多芯片封装

M36L0T8060B1 : 闪光灯,也不移动终端。256 Mbit (16 Mb,多个银行、 多级、 突发) 闪存内存和 64 Mbit PSRAM,1.8 v 核心、 3V I/O 供应、 多芯片封装

M36LLR8760 : 256 + 128 兆位 (多个银行、 多层次、 爆裂) 闪存内存 64 Mbit (突发) Psram,1.8 v 供电,多芯片封装

M36P08K4Q3 : 黄金矩形-联系连接器、 互连-;CONN PIN 卷曲 MX36 黄金

M36P0R8070E0 : 闪光灯,也不移动终端。256 Mbit (x 16,多个银行、 多级、 突发) 闪存 128 兆位 (爆裂) PSRAM,1.8 v 供应、 多芯片封装

M36P0R9060E0 : 512 (x 16,多银行、 多层次、 爆裂) Mbit 闪存内存 64 Mbit (突发) PSRAM,1.8 v 供电,多芯片封装...多芯片封装。1 模的 512 兆位 (32 个 Mb x 16,多个产品。银行、 多层次、 爆裂) 闪存。64 Mbit (4 Mb x 16) PSRAM 1 死。9632; &电源电压。VDDF = VCCP = VDDQ = 到 1.7 1.95V.

M36P0R9070E0 : 512 (x 16,多银行、 多层次、 爆裂) Mbit 闪存内存 128 兆位 (爆裂) PSRAM,1.8 v 供电,多芯片封装

M36S08K4Q3 : 黄金矩形-联系连接器、 互连-;控制室的套接字卷曲 MX36 黄金

M36W0R5020B0 : 32 (2 Mb x 16,多银行突发) 兆位闪存内存和 4 Mbit Sram、 1.8 v 供应多芯片封装

M36W0R5040B5ZAQE : 内存集成电路 (ics) 闪存盘 1.7 v ~ 1.95V;IC 闪存 32/16 MB PS 1.8V TFBGA88

M36W0R6050B : 64 (4 Mb x 16,多银行爆裂) 兆位闪存内存和 32 兆位 (2 Mb x 16) PSRAM,多芯片封装。64 Mbit (4 Mb x 16) 闪存内存 1 死 32 兆位 (2 Mb x 16) 伪 SRAM 供应电压 VDDF 的多芯片封装 1 模 = VCCP = VDDQ = 1.7 v、 1.95V 低功率消耗电子签名制造商

M36W0R6050L4ZSE : 内存集成电路 (ics) 闪存盘 1.7 v ~ 1.95V;IC 闪存 64/32 MB PS 1.8V TFBGA56

M36W0R6050T1 : PackageA 包类型的自由格式文本说明...可以包含的 ina 存储设备的闪存内存大小 [存储容量] 的数据量以二进制字符、 字节、 字、 或其他单位的数据测量...PSRAM 内存大小的存储容量可以包含的数据量

M36W108 : 8mb (1mb X8, 引导块) 闪存和 1 mb (128 kb X 8) SRAM 低压记忆产品

M36W108AB : 8 (1 个 MB X 8,引导块个产品) Mbit 闪存内存和 1 兆位 (128 KB X 8) SRAM 低压记忆产品

M36W108AB100ZM1T : 8 Mbit 1 mb X 8,启动块闪存和 1 Mbit 128 kb x 8 SRAM 低压记忆产品

M36W108B : 8 (1 个 MB X 8,引导块个产品) Mbit 闪存内存和 1 兆位 (128 KB X 8) SRAM 低压记忆产品

M36W108B100ZM1T : 8 Mbit 1 mb X 8,启动块闪存和 1 Mbit 128 kb x 8 SRAM 低压记忆产品

M36W108T : 8 (1 个 MB X 8,引导块个产品) Mbit 闪存内存和 1 兆位 (128 KB X 8) SRAM 低压记忆产品

M36W108T100ZM1T : 8 Mbit 1 mb X 8,启动块闪存和 1 Mbit 128 kb x 8 SRAM 低压记忆产品

M36W216 : 16 Mbit 1 mb X 16,启动块闪存和 2 Mbit 128 kb X 16 SRAM,多个内存产品

M36W216B : 16 (1 个 MB X 16,引导块个产品) Mbit 闪存内存和 2 兆位 (128 K X 16) SRAM、 多个内存产品

M36W216BI70ZA1T : 16 Mbit 1 mb X 16,启动块闪存和 2 Mbit 128 kb X 16 SRAM,多个内存产品

M36W416BG : 16 Mbit (1 MB X 16),引导块) 闪存内存和 4 兆位 (256 KB X 16) SRAM、 多个内存产品

M36W416BG70ZA1T : 16 Mbit 1 mb X 16,启动块闪存和以及 4mbit 256 kb X 16 SRAM、 多个内存产品

M36W432 : 32 Mbit 2 Mb x 16,启动块闪存和 4 Mbit 256 kb x 16 Sram,多个内存产品

M36W432B : 32 (2 个 MB X 16,引导块个产品) Mbit 闪存内存和 4 兆位 (256 K X 16) SRAM、 多个内存产品

M36W432B70ZA1T : 32 Mbit 2 mb X 16,启动块闪存和 4 Mbit 256 k X 16 SRAM、 多个内存产品

M36W432BG : 32 (2 个 MB X 16,引导块个产品) Mbit 闪存内存和 4 兆位 (256 KB X 16) SRAM、 多个内存产品

M36W832BE : 32 (2 个 MB X 16,引导块个产品) Mbit 闪存内存和 8 Mbit (512 K X 16) SRAM、 多个内存产品

M36W832BE70ZA1S : 32 Mbit 2 mb X 16,启动块闪存和 8 Mbit 512 kb X 16 SRAM,多个内存产品

M36WT864 : 64 Mbit 4 mb X 16,多银行爆裂闪存内存和 512 k X 16 8 Mbit SRAM、 多个内存产品

M36WT864B10ZA6T : 64 Mbit 4 mb X 16,多银行爆裂闪存内存和

M36WT864BF : 64 (4 MB X 16,多银行爆裂) 兆位闪存内存和 8 Mbit (512 K X 16) SRAM、 多个内存产品

M36WT8B10ZA6T : 64 Mbit 4 mb X 16,多银行爆裂闪存内存和 512 k X 16 8 Mbit SRAM、 多个内存产品

M370 : 70V; 3.0A 高压肖特基二极管。在低电压、 高频率逆变器、 免费转运和极性保护应用程序中使用